(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210525169.3 (22)申请日 2022.05.15 (71)申请人 安徽森米 诺农业科技有限公司 地址 241000 安徽省芜湖市三 山区经济开 发区临江工业园夏湖路1号 申请人 上海申和投资有限公司 (72)发明人 贺贤汉　 (74)专利代理 机构 铜陵市天 成专利事务所(普 通合伙) 3410 5 专利代理师 李坤 (51)Int.Cl. H01L 21/02(2006.01) H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01)B05B 7/02(2006.01) B05B 7/12(2006.01) B05B 12/06(2006.01) B05B 1/26(2006.01) (54)发明名称 一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法 (57)摘要 本发明涉及一种半导体晶圆的污染杂质清 洗方法， 采用高频脉冲射流式旋转喷淋清洗设备 对半导体晶圆进行清洗， 所述高频脉冲射流式旋 转喷淋清洗设备包括旋转吸盘、 高频脉冲射流式 喷嘴、 用来对高频脉冲射流式喷嘴所喷出的射流 进行整流的整流组件。 所述半导体晶圆的污染杂 质清洗方法能够对表面有光刻胶膜的半导体晶 圆进行快速清洗， 清洗时间短， 清洗效率高。 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 CN 114899086 A 2022.08.12 CN 114899086 A 1.一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于包括以下步骤： 采用高频脉冲射 流式旋转喷淋清洗 设备对半导体晶圆进行清洗， 所述高频脉冲射流式旋转喷淋清洗 设备包 括旋转吸盘 （1） 、 高频脉冲射流式喷嘴 （10） 、 用来对高频脉冲射流式喷嘴 （10） 所喷出的射流 进行整流的整流组件。 2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 所述高频 脉冲射流式喷嘴 （10） 包括金属外筒 （11） 、 内筒嘴 （12） 、 间歇式封堵组件、 圆管状进液管 （13） 、 第二锥管 （14） 、 安全气阀 （17） 、 气阀组 （18） ， 所述金属外筒 （11） 的上端密封安装有筒 盖， 所述金属外筒 （11） 的下端设置有倒锥状筒底 （111） ， 所述筒底 （111） 中央设置有第一通 孔 （112） ， 所述筒盖的中央设置有第二通孔 （115） ， 所述筒盖处还设置有两个分别位于第二 通孔 （115） 左右两侧的第三通孔 （113） 、 两个分别 位于第二通孔 （115） 左右两侧的第四通孔 （114） ， 所述安全气阀 （17） 的一端均与第三通孔 （113） 连通， 所述气阀组 （18） 的一端均与第 四通孔 （114） 连通； 所述内筒嘴 （12） 自上而下依次包括呈相互连通设置的第一软管 （124） 、 圆管状硬管 （123） 、 第二软管 （122） 、 第一锥管 （121） ， 所述进液管 （13） 的下端与第一软管 （124） 的上端连通， 所述第一锥管 （121） 的下端与第二锥管 （14） 的上端连通， 所述第二软管 （122） 的内壁为椭球面结构， 所述第一锥管 （121） 的锥角大于第二锥管 （14） 的锥角， 所述第 二锥管 （14） 下端的内径小于第二锥管 （14） 上端的内径， 所述第一锥管 （121） 下端的内径小 于第一锥管 （121） 上端的内径； 所述进 液管 （13） 的上端设置在金属外筒 （11） 的上方， 所述第 一软管 （124） 、 硬管 （123） 、 第二软管 （122） 均设置在金属外筒 （11） 的内部， 所述第二锥管 （14） 的下端设置在金属外筒 （11） 的下方， 所述内筒嘴 （12） 与金属外筒 （11） 之间设置有气压 腔 （15） ， 所述内筒嘴 （12） 的内部设置有功能室 （16） ； 所述间歇式封堵组件包括固定安装在 硬管 （123） 内部的圆环状电磁铁 （23） 、 圆柱螺旋弹簧 （22） 、 用来封堵第一锥管 （121） 下端的 空心铁球 （21） ， 所述圆柱螺旋弹簧 （22） 的上端与电磁铁 （23） 固定连接， 所述圆柱螺旋弹簧 （22） 的下端与空心铁球 （21） 固定连接； 所述进液 管 （13） 处设置有 进液阀组 （131） 。 3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 所述整流 组件包括位于第二锥管 （14） 与旋转吸盘 （1） 之间的破流头 （3） 、 L形金属丝 （4） 、 固定安装在 金属丝 （4） 末端的挡片 （5） 、 用来驱动金属 丝 （4） 沿着水平面进行平移往复直线运动的气缸 （7） 、 用来限定挡片 （5） 活动范围的限位组件 （6） ， 所述破流头 （3） 包括半球状球座 （32） ， 所述 球座 （32） 的顶部设置有圆锥状锥头 （31） ； 所述金属丝 （4） 的上端与球座 （32） 的底部固定连 接， 所述气缸 （7） 的活塞杆与挡片 （5） 固定连接； 所述限位组件 （6） 包括转辊 （61） ， 所述转辊 （61） 的辊身 固定安装有多个用来阻挡挡片 （5） 的档块 （62） ， 相邻两个档块 （62） 之间呈错开 设置。 4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 所述锥头 （31） 的锥角为α， 6 0°≤α ＜90°。 5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 当第 一软 管 （124） 的内、 外压差平衡时， 所述第一软管 （124） 的外壁被第一软管 （124） 的轴截面所截 取 得到是曲线为抛物线结构， 所述第一软管 （12 4） 的内壁被第一软管 （124） 的轴截面所截 取得 到是曲线为抛物线结构。 6.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 所述进液 管 （13） 外接耐腐蚀恒压泵， 所述气阀组 （18） 外接气泵， 所述气阀组 （18） 由单向阀与电磁气权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114899086 A 2阀相互串联构成， 所述进液阀组 （131） 由电磁水阀与止回阀相互串联构成。 7.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 所述空心 铁球 （21） 包括半球状的空心球体 （211） 和圆锥状空心锥部 （212） ， 所述空心锥部 （212） 的锥 角为90°， 所述空心 锥部 （212） 的尖端与圆柱螺 旋弹簧 （2 2） 的下端固定连接 。 8.根据权利要求6所述的一种半导体晶圆的污染杂质清洗方法， 其特征在于： 在采用高 频脉冲射流式旋转喷淋清洗 设备对半导体晶圆表面的光刻胶膜进 行清洗时， 待清洗的半导 体晶圆放置在旋转吸盘 （1） 处， 旋转吸盘 （1） 的转速为1000r/min， 使用耐腐蚀恒压泵将清洗 液输送至进液管 （13） ， 所述气阀组 （18） 外接气泵， 清洗液通过进液管 （13） 进入到功能室 （16） ， 最终从第二锥管 （14） 处喷出高频脉冲射流， 高频脉冲射流以5Hz的频率变换流速， 流 速变换的幅度在1米/秒以上， 进液管 （13） 内流体的压力在0.16MPa； 转辊 （61） 的转动速度为 10r/min； 清洗13 0s后， 清洗 完成。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114899086 A 3