ICS29.045 H83 中华人民共和国国家标准 GB/T30858—2014 蓝 宝石单晶衬底抛光片 Polishedmono-crystallinesapphiresubstrateproduct 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准主要起草单位:协鑫光电科技控股有限公司、中国科学院上海光机所、浙江昀丰新能源科技 有限公司、浙江上城科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司。 本标准主要起草人:魏明德、黄朝晖、刘逸枫、杭寅、徐永亮、袁忠纯、蔡金荣。 ⅠGB/T30858—2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 1 范围 本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证 明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1031 产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T30857 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 蓝宝石 sapphire 可以用来外延生长的、有确定晶向的人工生长单晶氧化铝材料。 3.2 衬底 substrate 用于生长硅、氮化镓或其他材料的抛光蓝宝石晶片。 3.3 局部厚度变化 localthicknessvariation 当蓝宝石晶片的背面为理想平面时,在晶片表面的局部区域内,相对于特定参考平面的最大偏差, 通常报告晶片上所有局部定域的最大值。 3.4 蓝宝石晶棒 sapphireingot 依特定轴向生长的晶体,通过机械加工后满足切片的蓝宝石棒材。 1GB/T30858—2014 3.5 亮点 brightpoint 一种孤立的特性,晶片表面上尺寸足够的局部光散射体,其在高强度光照射下呈现为光点,这些光 点可目视观察到。有时称光点缺陷。 注:例如晶片表面上的颗粒沾污,相对于晶片表面的光散射强度,可导致该处光散射强度增加。 4 要求 4.1 化学组成 蓝宝石单晶的化学组成为高纯的α-Al2O3,总杂质含量应小于10-4(100ppm)。 4.2 结晶完整性 要求蓝宝石衬底片在有效直径范围内都是单晶,位错密度应小于104个/cm2,双晶摇摆曲线的半 峰宽值(FWHM)应小于30arcsec。 4.3 生长方法 制备蓝宝石单晶衬底片所使用的生长方法按双方合同的规定。 4.4 表面取向和参考面取向 蓝宝石单晶属六方晶系,六方晶系晶胞的结构如图1所示。表面取向和参考面取向应符合表1的 规定,蓝宝石晶体R面的主参考面取向见图2。 图1 六方晶系晶胞结构图 表1 项目 要求 表面取向C面(0001) 偏M轴0.2±0.15° 偏A轴0±0.15°R面(1102)±0.15°A面(1120)±0.15°M面(1010)±0.15° 2GB/T30858—2014