ICS31.200 L56 中华人民共和国国家标准 GB/T16525—2015 代替GB/T16525—1996 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 Semiconductorintegratedcircuits— Specificationofleadframesforplasticleadedchipcarrierpackage 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 技术要求 1 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 引线框架尺寸 1 ……………………………………………………………………………………… 4.2 引线框架形状和位置公差 1 ………………………………………………………………………… 4.3 引线框架外观 3 ……………………………………………………………………………………… 4.4 引线框架镀层 3 ……………………………………………………………………………………… 4.5 引线框架外引线强度 3 ……………………………………………………………………………… 4.6 铜剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 4.7 银剥离试验 4 ………………………………………………………………………………………… 5 检验规则 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 检验批的构成 4 ……………………………………………………………………………………… 5.2 鉴定批准程序 4 ……………………………………………………………………………………… 5.3 质量一致性检验 4 …………………………………………………………………………………… 6 订货资料 7 ………………………………………………………………………………………………… 7 标志、包装、运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………… 7.1 标志、包装 7 …………………………………………………………………………………………… 7.2 运输、贮存 7 …………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性附录) 引线框架机械测量 8 ……………………………………………………………… ⅠGB/T16525—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T16525—1996《塑料有引线片式载体封装引线框架规范》。 本标准与GB/T16525—1996相比主要变化如下: ———按照标准的使用范围,将原标准的标准名称修改为“半导体集成电路 塑料有引线片式载体封 装引线框架规范”; ———关于规范性引用文件:增加引导语;抽样标准由GB/T2828.1—2012代替SJ/Z9007—87;增 加引用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129; ———标准中的4.1由“设计”改为“引线框架尺寸”,并将“精压深度”“绝缘间隙”和“水平引线间距和 位置(引线端部)”的有关内容调整到4.2; ———对标准的“4.2 引线框架形状和位置公差”中相应条款顺序进行了调整,并增加了“芯片粘接 区下陷”的有关要求; ———修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1):原标准仅规定了(203.2±50.8)mm标称条长上,侧 弯应不大于0.051mm,本标准在整个标称长度上进行规定; ———修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2):原标准中仅规定了卷曲变形小于0.51mm,本标准 根据材料的厚度分别进行了规定; ———修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4):原标准中仅规定了框架扭曲不超过0.51mm, 本标准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度分别进行了规定; ———修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5):原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量,本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定; ———修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6):原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响,简 单的规定了精压深度的尺寸范围。本标准修改为:在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条 件下,精压深度不大于材料厚度的30%,其参考值为0.015mm~0.06mm; ———将“金属间隙”修改为“绝缘间隙”(见4.2.7),并修改了标准中对“绝缘间隙”的要求:原标准规 定“每边最大精压凸出不超过0.051mm,应受金属间隙要求的限制”,本标准修改为“相邻两精 压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.076mm”; ———修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了在打凹和未打凹条 件下的最大斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm; ———修改了标准中对“芯片粘接区平面度”的要求(见4.2.11):原标准4.2.8.2芯片粘接区平面度与 原标准4.2.2.2重复,本标准予以删除。本标准取消了原标准4.2.2.2中每2.54mm芯片粘接 区长度的限制; ———修改了标准中对“毛刺”的要求(见4.3.1):取消了原标准中连筋内外不同区域垂直毛刺的不同 要求,本标准统一规定为0.025mm; ———修改了标准中对“凹坑、压痕和划痕”的要求(见4.3.2):在原标准的基础上增加划痕的有关 要求; ———修改了标准中对“局部镀银层厚度”的要求(见4.4.1):原标准仅规定了局部镀银层的厚度,本 标准对局部镀银层厚度及任意点分别进行了规定; ———修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关 要求; ⅢGB/T16525—2015 ———增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6); ———增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7); ———对标准“5检验规则”中相应条款进行修改,并增加了鉴定批准程序和质量一致性检验的有关 内容; ———修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准有镀层的保存期为三个月,本标准规定为6个月 (见7.2); ———增加了规范性附录A“引线框架机械测量”。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本标准起草单位:厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人:林桂贤、许金围、洪玉云。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T16525—1996。 ⅣGB/T16525—2015